[DDR4] Singal Group, Total Trace Length

Clock CKN[3:0], CKP[3:0] Contol CKE[3:0] Command MA[16:0], BG[1:0], BA[1:0], ACT#, PAR Strobe DQSP[7:0], DQSN[7:0] ECC Strobe DQSP[8], DQSN[8] DATA DQ[63:0] ECC DATA DQ[71:64] Alert ALERT# Reset DRAM_RESET# Rcomp DDR_RCOMP[2:0] Guideline Terminology Descriptions Via Count Motherboard Layer Signal Transition Via Placement Locations. For SO-DIMM designs this identifies the PTH Via Placement Locati..

• format_list_bulleted [ PCB설계 실무 ]/DDR Memory Design
• · 2019. 8. 16.
• textsms

DDR4 ECC SO-DIMM Design Guide

DDR4 PCB설계시 고려해야할 디자인 가이드에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 내용은 DDR4 ECC SO-DIMM 기준으로 설명됩니다. Design guide는 절대적인 값이 아니며 적층구조와 시스템 구성에 따라서 차이가 발생할수 있습니다. 우선, 임피던스 관리부터 알아보도록 하겠습니다. 1. 임피던스 관리 1) ECC SO-DIMM 2DPC CLK Differential 88 ohm CTRL,CKE Single 40 ohm CMD Single 35 ohm DQS Differential 75 ohm DQ Single 42 ohm ECC Single 42 ohm Alert Single 35 ohm Reset Single 50 ohm RCOMP Microstrip 12~15mils width 1) ECC ..

• format_list_bulleted [ PCB설계 실무 ]/DDR Memory Design
• · 2019. 6. 16.
• textsms

PC3-SODIMM_V110_RC_F3_20100122 설계파일

보호되어 있는 글입니다.

• format_list_bulleted [ PCB설계 실무 ]/DDR Memory Design
• · 2018. 11. 9.

DDR3 Module 디자인가이드, 설계룰, 설계 규칙

1. Impedance Rules1) Clock Diff 90~95 ohm (1600MT/S) 2) Ctorol40~50 ohm 3) Address, Command40~50 ohm 4) DataDiff 90~95 ohm (1600MT/S)40~50 ohm 2. Length Matching &1) Clock Clock Pair내 0.1mmClock Pair 와 Pair간 0.25mm 2)ControlCTRL group내 0.1CTRL는 Clock +0.5 ~ -0.5mm 이내로 설계 3) Address, Command (Single 40~50 ohm)Address와 command는 +0.5 ~ -0.5mm 이내로 설계Address와 command는 Clock +0.5 ~ -0.5mm 이내로 설계 4) ..

• format_list_bulleted [ PCB설계 실무 ]/DDR Memory Design
• · 2017. 4. 15.
• textsms